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Lasers DFB et DBR

Détails du produit

DFBEtLaser DBR

Haute puissance 1550nm laser DFB

Caractéristiques principales:

Application:

Caractéristiques optoélectroniques:

T_OP= 25 ° C, vague continue et beginning of Life unless otherwise specified.

Parameter	Sym.	Condition	Min	Typ.	Max	Unit
Température de fonctionnement de la puce	T_CHIP		20		35	°C
Courant de seuil	I_TH			50		mA
Courant d'entraînement du laser	I_OP			375	500	mA
Tension directe du laser	V_F	I= I_MAX			3	V
Puissance de sortie	P_OP	100mW Version, I=I_OP	100			mW
		80mW Version, I=I_OP	80
		63mW Version, I=I_OP	63
		50mW Version, I=I_OP	50
		40mW Version, I=I_OP	40
Fréquence centrale	F_OPT	P=P_OP	See ordering information			THz
Largeur de ligne	Δν			1		MHz
Bruit d'intensité relative	RIN	P=P_OP, 0,2 GHz → 14 GHz			-150	dB/Hz
Taux d'inhibition du moule latéral	SMSR	P=P_OP	30			dB
Isolation optique	ISO		30	35		dB
Ratio d'extinction	PER		17	21		dB
Surveillance du courant de Diode photosensible	I_PD		100			µa
Surveillance du courant d'obscurité de la diode photosensible	I_D				100	nA
Erreur de suivi			-0.5		0.5	dB
Courant TEC		T_OP= 70 °C, p = p_OP, T_CHIP= 25°C			4.0	A
Tension TEC		T_OP= 70 °C, p = p_OP, T_CHIP= 25°C			4.0	V
Impédance de thermistance	R_TH	T = 25 °C	9500	10000	10500	Ω
Coefficient bêta de thermistance	β	0 / 50°C		3892

Laser DFB haute bande passante

Caractéristiques principales:

Caractéristiques optoélectroniques:

T_OP= 25 ° C, vague continue et beginning of Life unless otherwise specified.

Parameter	Sym.	Condition	Min	Typ.	Max	Unit
Température de fonctionnement de la puce	T_CHIP		15		35	°C
Courant de seuil	I_TH		8		20	mA
Courant d'entraînement du laser	I_OP			75	100	mA
Tension directe du laser	V_F	I= I_MAX		1.6	2	V
Puissance de sortie	P_OP	I=I_OP	18			mW
Longueur d'onde centrale	λ	P=P_OP		1310 1550		nm
Largeur de ligne	Δ ν			1		MHz
Bruit d'intensité relative	RIN	P=P_OP, 0,2 GHz → 3 GHz			-150	dB/Hz
Taux d'inhibition du moule latéral	SMSR	P=P_OP	30			dB
Isolation optique	ISO		30	35		dB
Ratio d'extinction	PER		17	19		dB
Surveillance du courant de Diode photosensible	I_PD		50			µa
Surveillance du courant d'obscurité de la diode photosensible	I_D				100	nA
Erreur de suivi			-0.5		0.5	dB
Courant TEC		T_OP= 70 °C, p = p_OP, T_CHIP= 25°C			2.0	A
Tension TEC		T_OP= 70 °C, p = p_OP, T_CHIP= 25°C			2.5	V
Impédance de thermistance	R_TH	T = 25 °C	9500	10000	10500	Ω
Coefficient bêta de thermistance	β	0 / 50°C		3892

Laser DBR 1064nm

Caractéristiques principales:

Application:

Caractéristiques optoélectroniques:

T_OP= 25 ° C, vague continue et beginning of Life unless otherwise specified.

Parameter	Sym.	Condition	Min	Typ.	Max	Unit
Température de fonctionnement de la puce	T_CHIP		15		35	°C
Courant de seuil	I_TH			40	50	mA
Courant d'entraînement du laser	I_OP			500	550	mA
Tension directe du laser	V_F	I= I_MAX		2.0	2.5	V
Puissance de sortie	P_OP	I=I_OP		150		mW
Longueur d'onde centrale	λ	P=P_OP	1062	1064	1066	nm
Largeur de ligne	Δ ν			8	10	MHz
Taux d'inhibition du moule latéral	SMSR	P=P_OP	-30			dB
Ratio d'extinction	PER		14	19		dB
Surveillance du courant de Diode photosensible	I_PD	P=P_OP	50			µa
Surveillance du courant d'obscurité de la diode photosensible	I_D				100	nA
Courant TEC		Δt = 25 °C, p = p_OP			3.5	A
Tension TEC		Δt = 25 °C, p = p_OP			3.5	V
Impédance de thermistance	R_TH	T = 25 °C	9500	10000	10500	Ω
Coefficient bêta de thermistance	β	0 / 50°C		3892

1064 nm haute puissance dfb laser

Caractéristiques principales:

Application:

Caractéristiques optoélectroniques:

T_OP= 25 ° C, vague continue et beginning of Life unless otherwise specified.

Parameter	Sym.	Condition	Min	Typ.	Max	Unit
Température de fonctionnement de la puce	T_CHIP		20		40	°C
Courant de seuil	I_TH			17		mA
Courant d'entraînement du laser	I_OP				400	mA
Tension directe du laser	V_F	I= I_MAX			3	V
Puissance de sortie	P_OP	I=I_OP	50			mW
Longueur d'onde centrale	λ	P=P_OP	1062	1064	1066	nm
Largeur de ligne	Δ ν				0.1	nm
Taux d'inhibition du moule latéral	SMSR	P=P_OP	40			dB
Ratio d'extinction	PER		17	21		dB
Surveillance du courant de Diode photosensible	I_PD	P=P_OP	100			µa
Surveillance du courant d'obscurité de la diode photosensible	I_D				100	nA
Courant TEC		Δt = 25 °C, p = p_OP			3	A
Tension TEC		Δt = 25 °C, p = p_OP			3	V
Impédance de thermistance	R_TH	T = 25 °C	9500	10000	10500	Ω
Coefficient bêta de thermistance	β	0 / 50°C		3892

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